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簡(jiǎn)要描述：原子層沉積系統(tǒng)ALD：ALD可實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結(jié)構(gòu)和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學(xué)性質(zhì)的三維復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2025-02-18訪 問(wèn) 量：3341詳細(xì)介紹
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ALD可實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結(jié)構(gòu)和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學(xué)性質(zhì)的三維復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)。
原子沉積系統(tǒng)ALD
標(biāo)準(zhǔn)型（Standard ）設(shè)備
價(jià)格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配
結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，后期維護(hù)簡(jiǎn)單易行
用途廣，適合各種基底材料
原子層沉積系統(tǒng)ALD ——擴(kuò)展型（Flexivol）設(shè)備
腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調(diào)節(jié)，同一腔室可通過(guò)簡(jiǎn)單的調(diào)節(jié)適用于不同厚度的樣品
增多前驅(qū)體源入口數(shù)目，避免腔室體積增大對(duì)前驅(qū)體化學(xué)源氣氛分布的影響
ALD原子層沉積系統(tǒng)——高度定制化（Non-Standard）設(shè)備
為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案
放大基于標(biāo)準(zhǔn)研究型設(shè)備檢驗(yàn)的相同技術(shù)
根據(jù)客戶的特殊需求，加工定制，滿足特殊應(yīng)用及大規(guī)模的生產(chǎn)需要
研發(fā)（R&D）服務(wù)
開(kāi)發(fā)新的薄膜沉積方案
診斷、改進(jìn)現(xiàn)有ALD的工藝
為潛在的客戶做覆膜演示
薄膜沉積工藝咨詢
原子層沉積系統(tǒng)ALD技術(shù)參數(shù)
不銹鋼材質(zhì)腔室，根據(jù)客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑（D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm）和高度（H = 20 mm, H = 50 mm）可選；前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)標(biāo)配四路（包含冷和熱兩種前軀體），可配至八路
前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)配有快速氣動(dòng)閥門(mén)
多段溫度控制
前驅(qū)體溫控0-200 °C，精度1 °C
腔室溫控0-300 °C ，精度1 °C
進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ，精度1 °C
基本壓強(qiáng) 10^?1/10^?3 mbar
設(shè)備尺寸 1000x600x1000 mm
觸控控制系統(tǒng)
系統(tǒng)當(dāng)前狀態(tài)信息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門(mén)開(kāi)度等
工藝監(jiān)控：溫度和壓力等
偏差報(bào)警和安全鎖
菜單操作，實(shí)時(shí)監(jiān)控
可增配選項(xiàng)
等離子體發(fā)生器 借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ALD性能
臭氧發(fā)生器 提供強(qiáng)氧化劑，增大ALD生長(zhǎng)的前驅(qū)體選擇范圍
石英晶體微天平 在線監(jiān)測(cè)薄膜沉積的厚度
工業(yè)及非標(biāo)研發(fā)系統(tǒng)
產(chǎn)品分類
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